ich wars auch als ich das mal vor ner weile in nem amerikanischen forum gelesen hab.
aber was solls mehr performance + mehr stabilität :
(bei mir jedenfalls)
Naja, was in dem Artikel - obwohl er doch sehr hilfreich ist - nicht wirklich rauskommt ist der fundamentale Unterschied zwischen CAS, tRCD und tRP auf der einen Seite und tRAS auf der anderen: die ersten drei sind Angaben, wie lange eine Spannung an einer bestimmten Stelle angelegt sein muss, während tRAS die Angabe ist, wie lange eine Speicherbank offen gehalten wird. In dieser Zeit sollte der komplette Speicherzugriff erfolgt sein, also tRCD>CAS>tRP und dann muss nach dem Auslesen des Wertes in einem DRAM-Chip der Wert wieder in die Speicherzelle geschrieben werden, weil er beim Auslesen gelöscht wird.
Was ich allerdings immer noch nicht herausgefunden habe ist, wie der Speichervorgang zuende geführt wird, wenn bei einer tRAS von 5 die Bank nach der Hälfte des Lese- oder Schreibvorgangs geschlossen wird ???
If the radiance of a thousand suns were to burst forth at once in the sky, that would be like the splendour of the Mighty One ... I am become Death, the destroyer of worlds.