Unterschiedliche CL-Werte bemerkt man als einzige richtig in den Framezahlen. So ist es ein merklicher Unterschied, ob dein RAM mit CL2 oder CL3 läuft. Als Beispiel: hast du bei einem Spiel mit CL2 durchschnittlich 100 fps, dann haste mit CL3 so 93 fps. Außerdem merkst du auch einen Unterschied in den Ladezeiten, mit CL2 wird eine Map in 10 Sekunden geladen, mit CL3 dauerts 12 Sekunden.

Im Gegensatz dazu haben die anderen Werte wie tRCD, die tRP und die tRAS kaum eine Bedeutung, so ist der Unterschied zwischen CL2-2-2-5 und CL2-3-3-8 ziemlich vernachlässigbar und bringt in unserem Beispiel maximal 1 fps Unterschied.

Dies sind nur hypthetische Beispielwerte, die sich je nach Spiel unterscheiden können. Manche Spiele profitieren kaum von niedrigeren Latenzen, andere stärker.

Hier nochmal eine Erklärung was die Werte bedeuten:

1. tRP = RAS Prechage Time

Es handelt sich hier um die Vorladezeit des Zeilenadressierungsvorgangs. Eine Speicherzelle ist eher simpel aufgebaut. Sie besteht lediglich aus einem Transistor und einem Kondensator. Sogenannte Sense Amps (Sense Amplifiers) werden denen zur Seite gestellt, welche als Schreib- und Leseverstärker dienen. Bei einem Schreibvorgang wird der entsprechende Kondensator dann gefüllt. Realisiert wird dies durch das Anlegen von Spannungen.

2. tRCD = RAS to CAS Delay

Der Memory Controller benötigt exakte Adressierungsdaten um vom Hauptspeicher lesen, bzw. drauf schreiben kann.
Wenn ihr euch erinnert: Der Hauptspeicher (oder die Speicherchips generell) sind in Rows und Columns (Reihen und Spalten) eingeteilt.
Der RAS to CAS Delay ist eben genau die Zeitspanne zwischen Zeilen- und Spaltenadressierungsvorgang.

3. CL = CAS Latency

Mit dem RAS (Row Adress Strobe) haben wir nun eine Zeile oder Spalte des Modules geöffnet und den RAS to CAS Delay abwarten müssen.
Nun kann ein Read Command gegeben werden, welches die Spaltenadresse spezifiziert. Die Zeitdauer, die die Daten benötigen, um ins Ausgangregister zu gelangen, ist die CAS Latency.

4. tRAS = RAS Active Time

Hier handelt es sich um die Mindestzeit in welcher eine Bank offen gehalten werden muss. Es ist also die Wartezeit, damit Daten wieder durch den 1. Vorgang (tRP) in die Speicherzellen zurückgeschrieben werden können

Wichtig: Eine Faustregel, resultierend aus der bisherigen Speichertechnik besagt, dass die tRAS mindestens die Summe aus tCL und tRCD betragen sollte. Sollte deshalb weil auf einigen nVidia und VIA Plattformen auch ein tRAS von 3 wählbar ist.
In meinen Augen ein Irrsinn bei heutigen Frequenzen von 200+mhz.!
Sinnvoll ist es auch noch den Speichercontroller mit einzurechnen, da die Daten ja nicht nur im Speicher bleiben.
Deshalb: tRCD+tCL + 2 Takte (mindestens also 6)
Am besten ist sicherlich ein tRAS von 8 zyklen da dies einen Reibungslosen und kaum Langsameren (oft sogar schnelleren) Effekt nachsich zieht.

-> Mal schnell aus diGitaL's RAM-FAQ gequotet.

P.S. Wieviel dir die bessere Performance wert ist, musst du selbst entscheiden. Ich würde jedoch von extrem günstigem OEM-RAM abraten, empfehlen kann ich Infineon PC400 CL3 RAM, der läuft zu 95% auch auf CL2,5 rockstable. Ansonsten greif zu TwinMos PC400 CL2,5, die laufen zu 80% auf CL2.

;D *strike*

Biddeschön!